Sapphire fabriqué sur mesure Al2O3 Substrat à un seul cristal

Caractéristiques:

• Sapphire Substrat est les substrats populaires pour III-V nitrures, supraconducteur et film épi magnétique en raison de moins MIS-correspondant Lattice et stable chimique et physique Propriétés.
• Orientation Tolérance: + / -0.5 Deg. Or Orientation du plan
• Poli Surface: La surface du substrat est polie épi via Un spécial CMP Procédure avec RA < 5 un
• 1 côté poli
• Forfait: Chaque plaquette est emballée dans une salle blanche de 1000 classe avec un sac en plastique de 100 notes avec un conteneur de plaquettes
• Précaution: R Plan, la plaquette saphir est facile à claquer par rapport à C Plan. S'il vous plaît gérer cela avec un soin

Typique Propriétés:

• Crystal Structure: Hexagonal. A = 4.758 Angstroms C = 12,99 angstroms
• Melting Point: 2040 degré c
• Densité: 3.97 Gram / CM2
• Croissance Technique: CZ
• cristal pureté: > 99,99%
• Dureté: 9 ( Mohs)
• thermique Expansion: 7.5x10-6 ( / OC)
• Thermique Conductivité: 46.06 @ 0 OC, 25.12 @ 100 OC, 12.56 @ 400 OC ( W / (m.k) )
• diélectrique constante: ~ 9.4 @ 300k à un axe ~ 11.58 @ 300k À l'axe C
• perte tangente à 10 GHz: < 2x10-5 à un axe, <5 x10-5 À l'axe C