Sapphire fabriqué sur mesure Al2O3 Substrat à un seul cristal

Sapphire Substrat est les substrats populaires pour III-V nitrures, supraconducteur et film épi magnétique en raison de moins MIS-correspondant Lattice et propriétés chimiques stables et physiques
  • Article no:

    GS-C010
  • Paiement:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T
  • Origine du produit:

    Anhui, China
  • taille max:

    Dia300mm
  • orientation:

    <001>、<1-110>、<11-20>
  • paquet:

    100 clean bag,1000 exactly clean bag
  • Les détails du produit

  • Flux de processus

  • Emballage

  • Transport

  • FAQ

Caractéristiques:

  • Sapphire Substrat est les substrats populaires pour III-V nitrures, supraconducteur et film épi magnétique en raison de moins MIS-correspondant Lattice et stable chimique et physique Propriétés.
  • Orientation Tolérance: + / -0.5 Deg. Or Orientation du plan
  • Poli Surface: La surface du substrat est polie épi via Un spécial CMP Procédure avec RA < 5 un
  • 1 côté poli
  • Forfait: Chaque plaquette est emballée dans une salle blanche de 1000 classe avec un sac en plastique de 100 notes avec un conteneur de plaquettes
  • Précaution: R Plan, la plaquette saphir est facile à claquer par rapport à C Plan. S'il vous plaît gérer cela avec un soin

Typique Propriétés:

  • Crystal Structure: Hexagonal. A = 4.758 Angstroms C = 12,99 angstroms
  • Melting Point: 2040 degré c
  • Densité: 3.97 Gram / CM2
  • Croissance Technique: CZ
  • cristal pureté: > 99,99%
  • Dureté: 9 ( Mohs)
  • thermique Expansion: 7.5x10-6 ( / OC)
  • Thermique Conductivité: 46.06 @ 0 OC, 25.12 @ 100 OC, 12.56 @ 400 OC ( W / (m.k) )
  • diélectrique constante: ~ 9.4 @ 300k à un axe ~ 11.58 @ 300k À l'axe C
  • perte tangente à 10 GHz: < 2x10-5 à un axe, <5 x10-5 À l'axe C

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