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Fabricant de substrat monocristallin GaAs d'arséniure de gallium sur mesure en provenance de Chine

GaAs CRYSTAL
GaAs CRYSTAL GaAs CRYSTAL GaAs CRYSTAL GaAs CRYSTAL GaAs CRYSTAL

Fabricant de substrat monocristallin GaAs d'arséniure de gallium sur mesure en provenance de Chine

Peut être personnalisé selon les besoins du client, la direction spéciale et la taille du substrat

  • Article no:

    GS-C027

  • Paiement:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T

  • Origine du produit:

    Anhui, China

  • taille max:

    Dia100mm

  • orientation:

    <100>、<110>、<111>

  • paquet:

    100 clean bag，1000 exactly clean bag
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  • Les détails du produit

  • Flux de processus

  • Emballage

  • Transport

  • FAQ

Principaux paramètres de performance

Cristaux
structure
Orientation du cristal
Point de fusion
o C
densité
g/cm 3
Largeur de bande interdite
GaAs
cube
a=5.653 A
<100>
1238
5.31
1.424

Monocristal

Se doper

Type de conductivité

Concentration de porteurs cm-3

Densité de luxation cm -2

Méthode de croissance

Substrat standard ( mm )

GaAs

Si

non dopé

N

> 5×10 17

< 5×10 5

VGF

VB

Jour 2…×0.35 mm

Dia3 "x0.35mm

Dia100×0.65mm

Orientation du cristal

(100) 0°±0.5°,<111>


(100) 2°±0.5°off vers <111>A


(100)15°±0.5°off vers <111>A

Taille (mm)

0 × 25 × 25..3 5mm, 10 × 10 × 0..3 5mm,.5 × 10 × 0..3 5mm,.5.5 × × 0..3 5mm

Peut être personnalisé selon les besoins du client, la direction spéciale et la taille du substrat

Rugosité de surface

Rugosité de surface (Ra):<=5A Un rapport de test au microscope à particules atomiques (AFM) peut être fourni

polissage

Simple face ou double face

Emballer

Sac propre de classe 100, salle super propre de classe 1000

Q:Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant?
Nous sommes usine.
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Généralement, il est de 3 à 5 jours si les marchandises sont en stock.
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