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Le GaSb peut être utilisé comme matériau de substrat pour préparer des lasers et des détecteurs adaptés à certaines transmissions par fibre infrarouge.
Substrat monocristallin InAs peut croître InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb et autres matériaux d'hétérojonction pour produire des dispositifs émettant de la lumière infrarouge avec des longueurs d'onde de 2-14μm.
Le monocristal de SiC possède de nombreuses propriétés excellentes, telles qu'une conductivité thermique élevée, une mobilité élevée des électrons saturés et une forte résistance au claquage de tension.Il convient à la préparation d'appareils électroniques à haute fréquence, haute puissance, haute température et résistant aux rayonnements.
