Fabricant de substrat monocristallin SiO2 de quartz de dioxyde de silicium optique d'usine matérielle de Chine

La plaquette monocristalline de SiO2 est un excellent substrat pour les filtres micro-ondes dans l'industrie des communications sans fil.
  • Article no:

    GS-C046
  • Paiement:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T
  • Origine du produit:

    Anhui, China
  • taille max:

    dia100mm
  • orientation:

  • paquet:

    100 clean bag,1000 exactly clean bag
  • Les détails du produit

  • spécification

  • Flux de processus

  • Emballage

  • Transport

  • FAQ

La plaquette monocristalline de SiO2 est un excellent substrat pour les filtres micro-ondes dans l'industrie des communications sans fil.
Principaux paramètres de performance
Méthode de croissance
Hydrothermal
Structure en cristal
Six parties
Constante de réseau
a=4.914Å c=5.405Å
Point de fusion (℃)
1610°C (point de transition de phase : 573,1°C)
densité
2.684g/cm3
dureté
7 (mois)
Thermofusible
0,18cal/g
Conductivité thermique
0,0033cal/cm℃
Constante thermoélectrique
1200uv/℃ (300℃)
Indice de réfraction
1.544
Coefficient de dilatation thermique
11 : 13,71×10 6 /℃ 33 : 7,48×10 6 /℃
valeur Q
1,8×10 6 minutes
Vitesse du son, niveau du sonomètre
3160 (m/s)
Constante de fréquence
1661 (kHz/mm)
Couplage piézoélectrique
K2(%) BAW : 0,65 SAW : 0,14
Orientation du cristal
Y, X ou Z-cut, rotation d'une valeur arbitraire dans une plage de 30º ~ 42,75 º ± 5 minutes
orientation principale : selon les exigences du client direction ± 30 min
-côté positionnement temporel: selon la direction des exigences du client
graine: au centre, la largeur <5mm, hauteur>66mm
Surface polie
Polissage épitaxié : polissage simple ou double polissage Ra<10Å
zone de travail: diamètre du substrat -3mm
courbure : Φ3″<20um, Φ4″<30um
zone de travail sans copeaux, sur le bord, largeur de copeaux <0,5 mm
piqûres et rayures :Chaque pièce<3, toutes les 100 pièces<20
Épaisseur standard
0.5mm±0.05mm TTV<5um
Diamètre standard
2″(50,8mm), Φ3″(76,2mm), Φ4″(100mm)±0,2mm
Bord de positionnement principal : 22±1,5 mm (Φ3″) 32±3,0 (Φ4″)
Bord de positionnement secondaire : 10 mm ± 1,5 mm



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