Fabricant de substrat monocristallin SiC en carbure de silicium sur mesure 4H-N en provenance de Chine

Le monocristal de SiC possède de nombreuses propriétés excellentes, telles qu'une conductivité thermique élevée, une mobilité élevée des électrons saturés et une forte résistance au claquage de tension.Il convient à la préparation d'appareils électroniques à haute fréquence, haute puissance, haute température et résistant aux rayonnements.

Principaux paramètres de performance
Méthode de croissance	Méthode de sublimation des graines, PVT (Physical Vapor Transport)
Structure en cristal	Six parties
Constante de réseau	a = 3.08 Ã… c = 15.08 Ã…
densité	3.21 g/cm3
direction	Axe ou écart de croissance <0001> 3.5 º
Bande interdite	3.26 eV (indirect)
dureté	9.2 (mois)
Conductivité thermique@300K	5 W/cm.k
Constante diélectrique	et (11) = et (22) = 9.66 et (33) = 10.33
Taille	10x3, 10x5, 10x10, 15x15,, 20x15, 20x20,
	Dia2",Di3",Dia4"
épaisseur	0.35mm,
polissage	Simple face ou double face
Orientation du cristal	<0001>±0.5º
Précision d'orientation du plan cristallin:	±0.5°
Précision d'orientation des bords:	2°(Les exigences spéciales peuvent atteindre 1°)
Plaquette biseautée	Selon les exigences spécifiques, les plaquettes avec des plans cristallins orientés sur les bords inclinés à un angle spécifique (angle d'inclinaison 1°-45°) peuvent être traitées
Ra:	≤5Ã… (5µm×5µm)
Emballer	Sac propre de classe 100, salle super propre de classe 1000

Q:Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant?
Nous sommes usine.
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Oui, nous pourrions offrir l'échantillon gratuitement mais ne payons pas les frais de transport.
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