Fabricant de substrat monocristallin antimoniure de gallium GaSb sur mesure en provenance de Chine

Substrat monocristallin de GaSb
Les monocristaux de GaSb correspondent aux constantes de réseau de diverses solutions solides composées ternaires et quaternaires III-V avec des bandes dans le 0.8~4.Large gamme spectrale de 3 um en raison de sa constante de réseau, car GaSb peut être utilisé comme matériau de substrat Utilisé pour préparer des lasers et des détecteurs adaptés à certaines transmissions par fibre optique infrarouge, GaSb devrait également avoir une mobilité limitée au réseau supérieure à GaAs, ce qui le rend une perspective d'application potentielle dans la fabrication de dispositifs à micro-ondes.Les principales méthodes de croissance des matériaux monocristallins GaS comprennent la technologie traditionnelle de Czochralski ( LEC ), la technologie LEC améliorée, la méthode de chauffage en mouvement / la technologie de solidification à gradient vertical ( VGF ) / Bridgman vertical

Cristaux	Structure	Orientation du cristal	Point de fusion o C	Densité g/cm 3	Largeur de bande interdite
GaSb	Cubique a=6.094A	<100>	712	5.53	0.67

Principaux paramètres de performance
Monocristal	Se doper	Type de conductivité		Concentration de porteurs cm -3	Mobilité (cm 2 /Vs)	Densité de luxation (cm -2 )	Substrat standard
GaSb	Intrinsèque	P		(1-2)*10 17	600-700	【 1 * 10 4	Φ2″×0.5 mm Φ3″×0.5 mm
GaSb	Zn	P		(5-100)*10 17	200-500	【 1 * 10 4	Φ2″×0.5 mm Φ3″×0.5 mm
GaSb	Te	N		(1-20) ´ 10 17	2000-3500	【 1 * 10 4	Φ2″×0.5 mm Φ3″×0.5 mm
Taille (mm)			Dia50.8x0.5 mm, 10×10×0.5 mm, 10@6°6@0.5 mm peuvent être personnalisés en fonction des besoins du client, de l'orientation spéciale et de la taille du substrat
Rugosité de surface			Rugosité de surface (Ra):<=5A Un rapport de test de microscopie à particules atomiques (AFM) peut être fourni
polissage			Simple face ou double face
Emballage			Sac propre de classe 100, salle super propre de classe 1000

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