2 "Substrat monocristallin de nitrure de gallium gan gan gan

Le substrat de HVPE est: Homoépitaxie, gan sur gan
Homogénéité: Haute qualité, coût élevé, technologie difficile (luxation 103-106 / cm2)
  • Article no:

    GS-C012
  • Paiement:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T
  • Origine du produit:

    Anhui, China
  • taille max:

    Dia100mm
  • orientation:

    <0001>、<10-10>
  • paquet:

    100 clean bag,1000 exactly clean bag
  • Les détails du produit

  • spécification

  • Flux de processus

  • Emballage

  • Transport

  • FAQ

2 pouces libre debout Spécification GAN WAFFER


Objet

spécification

cristauxPécissement

Production (Pagade)

Recherche (Rggrade)

Mannequin (dgrade)

CrystalType

Singlecrystal

orientation

(0 0 0 1) Gaface

C-Plane Off angle Axe versM

0.5 ° ± 0,15 °

C-Plane angle d'angle vers-axe

0 ° ± 0,15 °

(002) fwhm

< 100 arcsec

(102) fwhm

< 100 arcsec

LattiCeradiusofCurvature

> 10 m (mesuré à 80% xdiamètre)




CleanSpecification

Dopingelements

température ambiante Résistivité (300K)

N-Type (Silicon)

≤0.02OHM-cm

UID

≤0,2ohm-cm

Semi-isolant (carbone)

> 1E8OHM-cm

Shapespecification

Majorflatorientation

M-avion (10-10), ± 2 ° (ST), ± 2 ° (

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