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fabricant de substrat monocristallin de gan de nitrure de gallium de porcelaine

GaN CRYSTAL
GaN CRYSTAL GaN CRYSTAL GaN CRYSTAL GaN CRYSTAL

fabricant de substrat monocristallin de gan de nitrure de gallium de porcelaine

le substrat de HVPE est : homoépitaxie, gan sur gan
homogénéité : haute qualité, coût élevé, technologie difficile (dislocation 103-106/cm2)

  • Article no:

    GS-C012

  • Paiement:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T

  • Origine du produit:

    Anhui, China

  • taille max:

    Dia100mm

  • orientation:

    <0001>、<10-10>

  • paquet:

    100 clean bag，1000 exactly clean bag
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  • Flux de processus

  • Emballage

  • Transport

  • FAQ

Spécification de la plaquette de gan autonome de 2 pouces


Objet

spécification

cristalspécification

production (niveau supérieur)

recherche (rgrade)

factice (dgrade)

type de cristal

monocristal

orientation

(0 0 0 1) gaface

angle du plan c vers l'axe m

0.5° ±0.15°

angle du plan c vers l'axe a

0° ±0.15°

(002)FWHM

< 100 secondes d'arc

(102)fwhm

< 100 secondes d'arc

treillisrayondecourbure

> 10 m (mesuré à 80 % xdiamètre)




spécifications électriques

éléments dopants

résistivité à température ambiante (300k)

type n (silicium)

≤0.02ohm-cm

uid

≤0.2ohm-cm

semi-isolant (carbone)

> 1e8ohm-cm

spécification de forme

grandappartementorientation

plan m (10-10), ±2°(st),±2° (

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